龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本申请涉及一种背接触电池及其制作方法、光伏组件，一方面，在背接触电池的制作过程中，先形成扩散温度更高的第一掺杂半导体层，再形成扩散温度较低的第二掺杂半导体层，避免扩散的高温影响在先形成的掺杂半导体层，避免造成先形成的掺杂半导体层中掺杂离子的二次扩散，以使形成的背接触电池符合预期设计标准，提高了背接触电池的品质与良品率；另一方面，保留第一区域与第二区域的交界处的第二掺杂半导体层，以使第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层能够在第一区域与第二区域的交界处形成连接，能够为背接触电池处于反偏电压状态提供了漏电通路，能够有效避免热斑问题。
主权项：1.一种背接触电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底，所述基底具有第一导电类型；在所述基底的背面依次形成第一隧穿层、第一本征半导体层和硼硅玻璃层；激光照射所述硼硅玻璃层，以掺杂所述第一本征半导体层形成第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层具有第二导电类型；刻蚀去除所述背面的第一区域以外的硼硅玻璃层、第一掺杂半导体层以及第一隧穿层，暴露出第二区域的所述基底；在所述背面依次形成第二隧穿层、第二本征半导体层和磷硅玻璃层，所述第二隧穿层、所述第二本征半导体层、所述磷硅玻璃层覆盖所述第二区域的所述基底以及所述第一区域的所述硼硅玻璃层；激光照射所述磷硅玻璃层，以掺杂所述第二本征半导体层形成第二掺杂半导体层，所述第二掺杂半导体层具有第一导电类型；至少刻蚀去除所述硼硅玻璃层上的部分所述磷硅玻璃层、部分所述第二掺杂半导体层和部分所述第二隧穿层，保留的所述第二掺杂半导体层与所述第一掺杂半导体层在所述第一区域与所述第二区域的交界处连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上饶晶科能源叁号智造有限公司 晶科能源(海宁)有限公司 背接触电池及其制作方法、光伏组件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号