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摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种基于喷涂光阻来提供离子束分割芯片时保护层的方法，包括以下步骤：在晶圆正面贴敷一层UV膜，并对晶圆背面减薄处理；去除晶圆正面的UV膜；正面喷涂正性光阻并全方位包裹晶圆上的铜凸点或锡球；利用图像处理技术分析正性光阻喷涂的均匀性和覆盖度，并实时调整喷涂厚度和速度；曝光划片道的正性光阻，去除划片道已曝光的正性光阻区域；去除正性光阻内的水汽和溶剂；在晶圆背面贴敷PESi膜，并在等离子切割机上进行等离子刻蚀；利用去胶机剥离晶圆正面的正性光阻。本发明不仅可以避免传统滴胶方式可能出现的覆盖不良现象，而且还可以有效保护芯片免受等离子刻蚀的损坏。
主权项：1.一种基于喷涂光阻来提供离子束分割芯片时保护层的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在晶圆正面贴敷一层UV膜，翻转晶圆，并对晶圆背面减薄处理；S2、去除晶圆正面的UV膜，并对晶圆的正面进行清洗及甩干处理；S3、在甩干后的晶圆正面喷涂正性光阻，并全方位包裹晶圆上的铜凸点或锡球；S4、利用图像处理技术分析正性光阻喷涂的均匀性和覆盖度，并实时调整喷涂厚度和速度；S5、曝光划片道的正性光阻，并在光阻显影后去除划片道已曝光的正性光阻区域；S6、将光阻显影后的晶圆置于烘箱内，去除正性光阻内的水汽和溶剂，使正性光阻形成坚膜；S7、在晶圆背面贴敷PESi膜，并在等离子切割机上进行等离子刻蚀；S8、利用去胶机剥离晶圆正面的正性光阻，完成芯片分割。
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百度查询： 上海功顶半导体有限公司 一种基于喷涂光阻来提供离子束分割芯片时保护层的方法
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