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摘要：本发明公开了一种化学气相沉积设备，包括：腔体、加热盘、驱动装置及喷淋头。加热盘的加热管包括内圈、中圈及外圈。内圈开设有第一缺口而形成内弧形管段，内弧形管段沿铅垂方向的对称面为基准对称面。中圈上设有第二缺口和第三缺口而分为关于基准对称面对称的两段中弧形管段，中弧形管段朝向第二缺口的端部为第一连接端、朝向第三缺口的端部为第二连接端。外圈上设有第四缺口和第五缺口而分为关于基准对称面对称的两段外弧形管段，外弧形管段朝向第四缺口的端部为第三连接端、朝向第五缺口的端部为第四连接端。内弧形管段通过第一过渡管段连通相邻中弧形管段的第一连接端，第二连接端通过第二过渡管段连通相邻外弧形管段的第四连接端，第三连接端通过第三过渡管段连通有直线管段，直线管段穿过第一缺口和第二缺口后延伸至内弧形管段内圈。直线管段包括加热段和冷段。本发明加热管均匀分布在加热盘内，能够均匀加热整个晶圆，满足晶圆在腔体内进行镀膜的要求。

主权项：1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：腔体1、加热盘2、驱动装置3及喷淋头4；所述加热盘2用于承载并加热放入所述腔体1内的晶圆，所述加热盘2包括加热管23，所述加热管23包括同心设置且半径依次增大的内圈、中圈及外圈；所述内圈开设有第一缺口而形成内弧形管段231，所述内弧形管段231沿铅垂方向的对称面为基准对称面；所述中圈上设有位置相对的第二缺口和第三缺口，所述第二缺口对应所述第一缺口，所述第二缺口和第三缺口将所述中圈分为关于所述基准对称面对称的两段中弧形管段232，所述中弧形管段232朝向所述第二缺口的端部为第一连接端2321、朝向所述第三缺口的端部为第二连接端2322；所述外圈上设有位置相对的第四缺口和第五缺口，所述第四缺口对应所述第二缺口，所述第四缺口和第五缺口将所述外圈分为关于所述基准对称面对称的两段外弧形管段233，所述外弧形管段233朝向所述第四缺口的端部为第三连接端2331、朝向所述第五缺口的端部为第四连接端2332；所述内弧形管段231的一端通过第一过渡管段234连通相邻所述中弧形管段232的所述第一连接端2321，所述第二连接端2322通过第二过渡管段235连通相邻所述外弧形管段233的所述第四连接端2332，所述第三连接端2331通过第三过渡管段236连通有直线管段237，所述直线管段237从所述第一缺口和第二缺口穿过后延伸至所述内弧形管段231的内圈；所述直线管段237依次包括加热段2371和冷段2372，所述冷段2372远离所述第三过渡管段236；所述驱动装置3驱动所述加热盘2转动；所述喷淋头4用于向所述腔体1内通入工艺气体。

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