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摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制造方法，该方法中首先在兼容CMOS工艺的氮化硅层上制作光波导和金属电极，将键合薄膜铌酸锂层作为后续步骤，减少了与CMOS工艺不兼容的情况，同时键合的薄膜铌酸锂层容许的对准误差可以到100μm，降低制造难度。薄膜铌酸锂电光调制器采用芯片到晶圆die‑wafer异质键合的形式，有利于实现硅基电光子集成系统，实现大规模电光集成芯片的产业应用。所述方法包括：提供一衬底晶圆；形成氮化硅层；形成多个光波导；形成多个金属电极；形成第二绝缘介质层；形成多个薄膜铌酸锂层和多个氧化硅层；形成钝化层。
主权项：1.一种薄膜铌酸锂电光调制器的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底晶圆，所述衬底晶圆包括硅层和设置在所述硅层上端的第一绝缘介质层；形成氮化硅层，所述氮化硅层设置在所述第一绝缘介质层远离所述硅层的一侧上；形成多个光波导，所述多个光波导设置在所述第一绝缘介质层远离所述硅层的一侧上；形成多个金属电极，所述金属电极的部分嵌入在所述第一绝缘介质层中且位于两个所述光波导之间；形成第二绝缘介质层，其中所述第二绝缘介质层位于所述第一绝缘介质层、所述光波导和金属电极远离所述硅层的一侧上；形成多个薄膜铌酸锂层和多个氧化硅层，所述薄膜铌酸锂层与所述第二绝缘介质层远离所述硅层的一侧键合，所述氧化硅层位于所述薄膜铌酸锂层远离所述硅层的一侧上，所述薄膜铌酸锂层和氧化硅层一一对应；形成钝化层，所述钝化层设置在所述薄膜铌酸锂层远离硅层一侧的表面上，以及所述薄膜铌酸锂层和所述氧化层的侧壁上；所述钝化层远离所述硅层一侧的表面，高于所述薄膜铌酸锂层远离所述硅层一侧的表面。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 薄膜铌酸锂电光调制器及其制造方法
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