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一种抛光设备及颗粒物控制方法 

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摘要:本申请涉及本申请涉及半导体加工领域,尤其是涉及一种抛光设备及颗粒物控制方法,抛光设备包括:上料室,所述上料室用于抛片上料;加工室,所述加工室用于抛片加工,所述加工室与所述上料室连通;下料室,所述下料室用于抛片下料,所述下料室与所述加工室连通;以及传动机构,所述传动机构设置于所述上料室与所述加工室之间、所述加工室与所述下料室之间,所述传动机构用于所述上料室向所述加工室输入抛片、所述加工室向所述下料室输出抛片;其中,所述上料室设置有第一气压,所述加工室与所述下料室设置有第二气压,所述第一气压大于所述第二气压。解决了CMP设备空间内的颗粒污染的技术问题,达到降低CMP设备空间内的颗粒污染的技术效果。

主权项:1.一种抛光设备,其特征在于,包括:加工室200,所述加工室200用于抛片加工;除尘机构500,所述除尘机构500包括:静电组件510,所述静电组件510设置于所述加工室200内,所述静电组件510具有静电,用于汇聚并吸附所述加工室200内的颗粒物以形成颗粒团。

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权利要求:

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