买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明提出了一种双向静电保护器件，包括P型衬底、N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一SN注入区、第二SN注入区、第一SP注入区、第二SP注入区、第一高注入能量高掺杂浓度P型区、第二高注入能量高掺杂浓度P型区、第一金属连接线、第二金属连接线；本发明通过引入高注入能量高掺杂浓度P型区，嵌入新的电流泄放路径，使器件实现了二次回滞特性，增加了维持电压，提高抗闩锁性能，同时降低钳位电压，提高鲁棒性，此外采用完全对称的双向结构设计，满足双向ESD保护的需求。

主权项：1.一种双向静电保护器件，其特征在于包括：P型衬底10、N型阱区20、第一P型阱区31、第二P型阱区32、第一SN注入区41、第二SN注入区42、第一SP注入区51、第二SP注入区52、第一高注入能量高掺杂浓度P型区61、第二高注入能量高掺杂浓度P型区62、第一金属连接线71、第二金属连接线72；其中，第一P型阱区31位于P型衬底10上方左侧区域，第二P型阱区32位于P型衬底10上方右侧区域，N型阱区20位于P型衬底10中部且左右两侧分别紧邻第一P型阱区31和第二P型阱区32；在第一P型阱区31内部上方从左至右分别设有第一SP注入区51和第一SN注入区41，二者紧邻且通过第一金属连接线71连接作为器件的阳极或阴极，第一高注入能量高掺杂浓度P型区61位于第一SN注入区41下方且第一高注入能量高掺杂浓度P型区61上边界紧挨第一SN注入区41下边界，第一高注入能量高掺杂浓度P型区61右边界与第一SN注入区41右边界对齐，第一高注入能量高掺杂浓度P型区61左边界位于第一SN注入区41左边界的右侧；在第二P型阱区32内部上方从左至右分别设有第二SN注入区42和第二SP注入区52，二者紧邻且通过第二金属连接线72连接作为器件的阴极或阳极，第二高注入能量高掺杂浓度P型区62位于第二SN注入区42下方且第二高注入能量高掺杂浓度P型区62上边界紧挨第二SN注入区42下边界，第二高注入能量高掺杂浓度P型区62左边界与第二SN注入区42左边界对齐，第二高注入能量高掺杂浓度P型区62右边界位于第二SN注入区42右边界的左侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 电子科技大学广东电子信息工程研究院 一种双向静电保护器件