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摘要：基于p型导电性的硅衬底的背接触式太阳能电池具有用于接收辐射的前表面、以及后表面。所述后表面具有隧道氧化物层和n型导电性的掺杂多晶硅层。所述隧道氧化物层和n型导电性的图案化掺杂多晶硅层形成图案化层堆叠体，所述图案化层堆叠体中具有间隙。Al‑Si合金化接触部被布置在所述间隙中的每一个内、与所述衬底的基极层电接触，以及一个或多个Ag接触部被布置在图案化掺杂多晶硅层上并且与所述图案化掺杂多晶硅层电接触。
主权项：1.基于p型导电性的硅衬底的背接触式太阳能电池，其具有用于接收辐射的前表面、以及后表面；其中所述背接触式太阳能电池的所述后表面具有隧道氧化物层和n型导电性的掺杂多晶硅层；所述隧道氧化物层和所述n型导电性的掺杂多晶硅层形成图案化层堆叠体，所述图案化层堆叠体中具有暴露所述衬底的所述后表面处的基极层的开口；其中Al-Si合金化接触部被布置在暴露所述衬底的所述后表面处的所述基极层的所述开口中的每一个内、与所述衬底的所述基极层直接接触和电接触，以及一个或多个Ag接触部或过渡金属接触部被布置在所述图案化掺杂多晶硅层上并且与所述图案化掺杂多晶硅层电接触，所述太阳能电池包括本征多晶硅层，所述本征多晶硅层与n型导电性的所述图案化掺杂多晶硅层接界并且覆盖暴露所述衬底的所述后表面的所述开口中的所述硅衬底的所述基极层，所述隧道氧化物额外地布置在所述本征多晶硅层与暴露所述衬底的所述后表面的所述开口中的所述硅衬底的所述基极层之间，并且所述Al-Si接触部延伸穿过所述本征多晶硅层和所述隧道氧化物层。
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百度查询： 荷兰应用自然科学研究组织TNO 具有p型导电性的指叉背接触式太阳能电池
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