龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明公开一种大面积“双面神”MoSSe二维纳米片或MoSSeMoS2异质结的制备方法和应用。本发明采用两阶段生长策略，并通过精确调控各工艺参数，获得“双面神”MoSSe材料。本发明的制备方法无需在实验过程中采用氢气等离子体，制备工艺较为简单，所制备的“双面神”MoSSe二维纳米片或MoSSeMoS2异质结在非线性光学、光电子学、谷电子学等领域均具有巨大的应用潜力。本发明为大面积“双面神”过渡金属硫属化合物的可控生长提供一条新的途径，为其大规模工业化的生产提供一定的实验和理论基础。
主权项：1.大面积“双面神”MoSSe二维纳米片或MoSSeMoS2异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将钠钙玻璃基底在去离子水中清洗，去除表面杂质；S2.将钼箔在空气中进行氧化，得到三氧化钼箔，并将三氧化钼箔折叠成桥状放置在S1所得钠钙玻璃的顶部，再将其放置于石墨片上推至水平管式炉加热中心位置；S3.依据气流由上游至下游的方向，将装有硫粉的石英舟置于距离基底25~29cm的上游位置，另一装有硒粉的石英舟在生长前置于管式炉上游管口的室温区域；S4.打开气体阀门，用氩气对炉内进行清洗，清洗结束后在整个生长过程中持续通入氩气；S5.设置升温程序，使得加热中心在20~30分钟内加热并在生长温度600~900℃下保持8~15分钟进行第一阶段的生长；S6.待第一阶段生长结束后打开氢气阀门，向管内通入氢气，并通过磁控装置将装有硒粉的石英舟由上游室温区推至加热区域上游位置，继续保持第一阶段的生长温度4~25分钟进行第二阶段的生长；S7.生长结束后，待管式炉自然冷却至室温，即得大面积“双面神”MoSSe二维纳米片或MoSSeMoS2异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湘潭大学 大面积“双面神”MoSSe二维纳米片或MoSSe/MoS2异质结的制备方法和应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号