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摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于金属衬底的JanusMoSSe制备方法以及通过该方法制得的金属衬底上的JanusMoSSe；制备方法包括：制备Ti‑Au金属衬底；在所述Ti‑Au金属衬底上获得单层MoS2，得到初始样品；将所述初始样品与硒粉，在氢气氛围下，进行等离子体反应，完成在金属衬底上制备JanusMoSSe；本发明的制备方法首次在金属衬底上实现大面积单层JanusTMDs的制备，能够满足如APERS及STM等需要导电衬底才能进行测试的设备的实验需求，为进一步在实验上探索JanusTMDs的本征物性做好样品准备。
主权项：1.一种基于金属衬底的JanusMoSSe制备方法，其特征在于，所述基于金属衬底的JanusMoSSe制备方法包括步骤：S1.制备Ti-Au金属衬底；S2.在所述Ti-Au金属衬底上获得单层MoS2，得到初始样品；S3.将所述初始样品与硒粉，在氢气氛围下，进行等离子体反应，完成在金属衬底上制备JanusMoSSe。
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百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于金属衬底的Janus MoSSe制备方法及Janus MoSSe
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