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摘要：本发明揭示了一种新型异质结及其构建方法和应用。所述新型异质结，包括二维磁性材料，且在所述二维磁性材料的底部设置有修饰层和或绝缘隔绝材料，其中，所述二维磁性材料包括Fe3GaTe2，所述修饰层包括Ba2N。本发明提供了一种具有可调谐磁各向异性的二维磁性材料，为优化二维磁性晶体的磁各向异性性能提供了方向，并通过本发明的新型异质结来设计磁性隧道结体系，以获得更高的垂直磁各向异性和电压调控磁各向异性系数，并且能够为制备新一代超低功耗、超高速度的磁电随机存储器件MeRAM提供理论指导。
主权项：1.一种新型异质结，其特征在于，包括二维磁性材料，且在所述二维磁性材料的底部设置有修饰层和或绝缘隔绝材料，其中，所述二维磁性材料包括Fe3GaTe2，所述修饰层包括Ba2N。
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百度查询： 山东建筑大学 一种新型异质结及其构建方法和应用
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