龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：一种异质结结构，其中势垒半导体层在沟道半导体层上外延生长，但对于势垒半导体层的外延生长的至少一部分，势垒半导体层的成分会发生变化。通过此方式，在一些情况下，可能会增加2DEG平面视图中的自由电子密度，从而对于给定的电压差产生更大的电流。此外，对于给定的电流，电子的迁移率也会增加，从而降低将2DEG作为沟道区的晶体管的导通电阻。这进一步提高了晶体管的功率效率，并减少了在给定功率下由晶体管产生的热量。
主权项：1.一种包括外延堆栈的异质结结构，包括：沟道半导体层，所述沟道半导体层由第一半导体材料形成；以及势垒半导体层，所述势垒半导体层外延沉积在所述沟道半导体层上，以在沟道半导体层和势垒半导体层之间形成异质结；所述势垒半导体层由第二半导体材料形成，所述第二半导体材料是由多种不同元素组成的化合物半导体材料，其中对于所述势垒半导体层的至少部分厚度，所述多种不同元素中至少部分元素的成分百分比随所述势垒半导体层内的外延深度而变化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技加拿大公司 具有不同层成分的异质结结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号