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摘要：本申请实施例涉及一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域；其中，晶体管包括：衬底；位于衬底上的异质结结构，异质结结构包括沿远离衬底的方向依次层叠的沟道层和势垒层，在沟道层的至少部分靠近势垒层的区域中形成有二维电子气通道；位于异质结结构上的源极结构、漏极结构和栅极结构；其中，漏极结构包括沿远离沟道层的方向依次层叠的漏极连接结构和漏极电极，在沟道层的至少部分靠近漏极连接结构的区域中形成有二维空穴气通道；如此，有效提高电流密度，最终提高器件性能。
主权项：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的异质结结构，所述异质结结构包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的沟道层和势垒层，在所述沟道层的至少部分靠近所述势垒层的区域中形成有二维电子气通道；位于所述异质结结构上的源极结构、漏极结构和栅极结构；其中，所述漏极结构包括沿远离所述沟道层的方向依次层叠的漏极连接结构和漏极电极，在所述沟道层的至少部分靠近所述漏极连接结构的区域中形成有二维空穴气通道。
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百度查询： 芯联动力科技(绍兴)有限公司 高电子迁移率晶体管及其制备方法
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