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摘要：本发明提供了一种降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，包括对碳化硅晶圆片的碳化硅衬底的正面进行正面工艺加工，形成正面工艺膜层。在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，第一反应力膜层与正面工艺膜层产生的应力方向相反，第一反应力膜层可以起到缓冲和过渡的作用，第一反应力膜层本身可以调节翘曲应力。本发明在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，可以较好的降低加工过程中产生的应力，从而降低翘曲，进一步降低碳化硅晶圆片的厚度。
主权项：1.一种降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，其特征在于，包括：对碳化硅晶圆片的碳化硅衬底的正面进行正面工艺加工，形成正面工艺膜层；在所述正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层；所述第一反应力膜层与所述正面工艺膜层产生的应力方向相反。
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