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摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该制造半导体结构的方法包括：形成贯穿叠层结构的沟道孔，其中所述叠层结构包括交替堆叠的电介质层和牺牲层；经由所述沟道孔将所述牺牲层的一部分置换为第一导电层；以及在所述沟道孔内形成高介电常数材料层和沟道结构，其中所述高介电常数材料层位于所述沟道结构和所述第一导电层之间。
主权项：1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：形成贯穿叠层结构的沟道孔，其中所述叠层结构包括交替堆叠的电介质层和牺牲层；经由所述沟道孔将所述牺牲层的一部分置换为第一导电层；以及在所述沟道孔内形成高介电常数材料层和沟道结构，其中所述高介电常数材料层位于所述沟道结构和所述第一导电层之间。
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百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其制造方法、存储系统
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