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摘要：本发明公开了一种原子层连续沉积装置及方法，所述装置包括传输通道，以及在传输通道上依次排列的清洗腔室、第一过渡腔室、原子层沉积腔室和第二过渡腔室，其中，传输通道的首端设置有进料口，清洗腔室内设置有等离子装置，等离子装置用于对从进料口传输的薄膜材料进行清洗处理，清洗腔室在传输通道上与进料口相邻的一侧设置有密封装置；第一过渡腔室与原子层沉积腔室相邻的一侧腔壁，以及第二过渡腔室与原子层沉积腔室相邻的一侧腔壁，均向原子层沉积腔室倾斜；传输通道的尾端设置有出料口，第二过渡腔室在传输通道上与出料口相邻的一侧设置有密封装置。
主权项：1.一种原子层连续沉积装置，其特征在于，包括传输通道（100），以及在所述传输通道（100）上依次排列的清洗腔室（110）、第一过渡腔室（120）、原子层沉积腔室（130）和第二过渡腔室（140），其中，所述传输通道（100）的首端设置有进料口（150），所述清洗腔室（110）内设置有等离子装置，所述等离职装置用于对从所述进料口（150）传输的薄膜材料进行清洗处理，所述清洗腔室（110）在所述传输通道（100）上与所述进料口（150）相邻的一侧设置有密封装置；所述第一过渡腔室（120）与所述原子层沉积腔室（130）相邻的一侧腔壁，以及所述第二过渡腔室（140）与所述原子层沉积腔室（130）相邻的一侧腔壁，均向所述原子层沉积腔室（130）倾斜；所述传输通道（100）的尾端设置有出料口（160），所述第二过渡腔室（140）在所述传输通道（100）上与所述出料口（160）相邻的一侧设置有所述密封装置；所述第一过渡腔室（120）与所述第二过渡腔室（140）均设置有真空口（180），且所述第一过渡腔室（120）的气压和所述第二过渡腔室（140）的气压均大于所述原子层沉积腔室（130）的气压；第一过渡腔室（120）和第二过渡腔室（140）与原子层沉积腔室（130）之间的连通处也设有密封装置。
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百度查询： 苏州美芝恩电子科技有限公司 一种原子层连续沉积装置及方法
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