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BMPR1B抑制剂在诱导发育中的应用、诱导培养基 

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摘要:本发明涉及生物医药技术领域,特别是涉及一种BMPR1B抑制剂在诱导发育中的应用、诱导培养基和诱导方法。诱导培养基包含BMPR1B抑制剂,其具有式I所示的结构,或为式I所示的结构在药学上可接受的盐、酯、酰胺、溶剂化物、活性代谢物、多晶型物、同位素标记物、同分异构体或前药。培养基中含有BMPR1B的抑制剂为经过特殊结构设计的吡唑甲酰基哌嗪酮类化合物,其能与BMPR1B通过氢键相互作用和疏水相互作用等方式形成较稳定的复合体,从而对BMPR1B进行控制,进而实现对下游基因表达和生理过程的调控,使得多能干细胞能高效、定向地向神经谱系细胞分化。

主权项:1.一种诱导培养基,包含BMPR1B抑制剂;所述BMPR1B抑制剂具有式I所示的结构,或为式I所示的结构在药学上可接受的盐、酯、酰胺、溶剂化物、活性代谢物、多晶型物、同位素标记物、同分异构体或前药; 其中,A环选自以下任一结构: Y为-CH2n-,n为0、1、2或3;R1选自-H、-D、未取代或R2取代的C1~C6烷基、C1~C6烷氧基、C6~C10芳基或C3~C10杂芳基;R2选自-F、-Cl、-Br、-I、-OH、-COOH、C1~C6烷基或C1~C6烷氧基;“*”表示连接位点。

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权利要求:

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