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摘要:本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种大温度梯度的单晶炉导流筒和单晶炉;大温度梯度的单晶炉导流筒用于单晶炉,该导流筒包括外壳,外壳设置有容纳腔,容纳腔内设置有外筒和内筒;外筒的制备材料为聚丙烯腈基石墨毡、且其套设于内筒的外部,并与外壳的内壁贴合;内筒包括从下至上依次层叠设置的第一保温填充部、第二保温填充部和第三保温填充部;第一保温填充部包括黏胶基石墨毡层和聚丙烯腈基石墨毡层;第二保温填充部和第三保温填充部包括毡粉粘合填充物,第三保温填充部设置有通孔,且通孔贯穿外壳远离外筒的一侧侧壁。该大温度梯度的单晶炉导流筒能实现较大的轴向温度梯度的控制,以实现高质量的晶棒生长,并提高晶棒的生长效率。
主权项:1.一种大温度梯度的单晶炉导流筒,其特征在于,包括:外壳(210),所述外壳(210)设置有容纳腔,所述容纳腔内设置有外筒(100)和内筒(200);其中,所述外筒(100)套设于所述内筒(200)的外部,且与所述外壳(210)的内壁贴合;所述外筒(100)的制备材料为聚丙烯腈基石墨毡;所述内筒(200)包括第一保温填充部(220)、第二保温填充部(230)和第三保温填充部(240);所述第一保温填充部(220)、所述第二保温填充部(230)和所述第三保温填充部(240)沿所述外壳(210)的轴向从下至上依次层叠设置;所述第一保温填充部(220)包括黏胶基石墨毡层(2221)和聚丙烯腈基石墨毡层(2211);所述第二保温填充部(230)和所述第三保温填充部(240)包括毡粉粘合填充物;所述第三保温填充部(240)设置有通孔(241),且所述通孔(241)贯穿所述外壳(210)远离所述外筒(100)的一侧侧壁。
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