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摘要：本发明涉及一种降低翘曲的扇出型封装结构，包括：芯片，其具有正面和与正面相对的背面；管脚，其在所述芯片的正面；金属柱，其布置在所述管脚上，与所述管脚电互连；塑封层，其包裹所述芯片和所述金属柱，所述芯片正面的塑封层厚度由所述金属柱的高度决定；金属互联线，其布置在所述金属柱上，与所述金属柱电互连；以及凸点结构，其与所述金属互联线电互连。该扇出封装结构，通过改变芯片两边的环氧塑封料的厚度，降低芯片正面和背面因环氧塑封料厚度不同而产生的应力，有效改善晶圆翘曲，而且方法简单，效果明显。
主权项：1.一种降低翘曲的扇出型封装结构，包括：芯片，其具有正面和与正面相对的背面；管脚，其在所述芯片的正面；金属柱，其布置在所述管脚上，与所述管脚电互连；塑封层，其包裹所述芯片和所述金属柱，所述芯片正面的塑封层厚度由所述金属柱的高度决定；金属互联线，其布置在所述金属柱上，与所述金属柱电互连；以及凸点结构，其与所述金属互联线电互连；通过调整所述芯片正面与背面的塑封层的厚度比，以降低所述芯片正面和背面因塑封层厚度不同而产生的应力；根据扇出封装的翘曲D的计算公式确定和或调整所述芯片正面与背面的塑封层的厚度：D＝A×1+2x+x24+6x+4x2+x3y+1xy,其中A是常数，x为芯片厚度与塑封层厚度的比，y为硅和塑封层材料的杨氏模量比率；x＝T1-T2Tsi其中T1为芯片背面的塑封层厚度，T2为芯片正面的塑封层厚度，Tsi为芯片的厚度。
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