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摘要：一种半导体激光器，包括：多量子阱层，其在台面结构中；掩埋层，所述掩埋层包括半绝缘半导体，所述掩埋层与所述台面结构的两侧中的每一侧接触；第一包覆层，其具有第一导电类型，所述第一包覆层具有比所述多量子阱层更低的折射率；高折射率层，其被配置为不吸收在所述多量子阱层中振荡的光，所述高折射率层具有比所述第一包覆层更高的折射率；衍射光栅层，其至少部分地构成能够衍射在所述多量子阱层中振荡的光的衍射光栅，所述衍射光栅层不接触所述高折射率层；衬底，其具有所述第一导电类型；以及第二包覆层，其具有第二导电类型，所述第二包覆层在所述多量子阱层的上方。
主权项：1.一种半导体激光器，包括：多量子阱层，所述多量子阱层被包括在台面结构中；掩埋层，所述掩埋层包括半绝缘半导体，其中，所述掩埋层与所述台面结构的第一侧和第二侧接触；第一包覆层，所述第一包覆层具有第一导电类型，所述第一包覆层在所述台面结构和所述掩埋层的下方，其中所述第一包覆层具有比所述多量子阱层更低的折射率，所述第一包覆层是成对的第一包覆层中的一个第一包覆层，并且所述成对的第一包覆层中与所述多量子阱层相邻的一个第一包覆层的厚度比所述成对的第一包覆层中的另一个第一包覆层的厚度更大，高折射率层，所述高折射率层被配置为不吸收在所述多量子阱层中振荡的光，所述高折射率层在所述台面结构和所述掩埋层的下方、在所述第一包覆层的下方，其中：所述高折射率层具有比所述第一包覆层更高的折射率，并且所述高折射率层是成对的高折射率层中的一个高折射率层，所述成对的高折射率层与所述成对的第一包覆层交替堆叠；衍射光栅层，所述衍射光栅层至少部分地构成能够衍射在所述多量子阱层中振荡的光的衍射光栅，其中，所述衍射光栅层不接触所述高折射率层；衬底，所述衬底具有所述第一导电类型，所述衬底在所述高折射率层的下方；以及第二包覆层，所述第二包覆层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第二包覆层在所述多量子阱层的上方。
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