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摘要：本发明提供一种微半球研磨校准方法，其包括：将第一平面片和高度规置于基准平台上，将安装微半球的治具置于第一平面片上，将第二平面片置于高度规的平行滑杆头的底端，平行滑杆头下移至第二平面片下表面与微半球锚柱上端面贴合，高度规测量微半球锚柱上端面距离基准面的高度h1；将安装微半球的治具置于基准平台的基准面上，再将第一平面片置于微半球上，至第一平面片下表面与微半球上端面贴合，平行滑杆头下移至第二平面片下表面与第一平面片上表面贴合，高度规测量第一平面片上表面距离基准面的高度h2；计算高度差∆h=h2‑h1，将∆h加上微半球锚柱上表面设定磨削量，得到微半球研磨量。本发明确保了微半球研磨的准确性和成品的Q值。
主权项：1.一种微半球研磨校准方法，其特征在于，包括以下步骤：S100将第一平面片和高度规置于基准平台的基准面上，将安装微半球的治具置于第一平面片上，将第二平面片置于高度规的平行滑杆头的底端，平行滑杆头下移至第二平面片下表面并与微半球锚柱上端面贴合，高度规测量微半球锚柱上端面距离基准面的高度h1；S200将安装微半球的治具置于基准平台的基准面上，再将第一平面片置于微半球上，至第一平面片下表面与微半球上端面贴合，平行滑杆头下移至第二平面片下表面并与第一平面片上表面贴合，高度规测量第一平面片上表面距离基准面的高度h2；S300计算高度差Δh=h2-h1，将Δh加上微半球锚柱上表面设定磨削量，得到微半球研磨量。
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百度查询： 湖南二零八先进科技有限公司 一种微半球研磨校准方法
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