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摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性850nm红外发光LED芯片及其制作方法。所述芯片包括从下至上依次设置的背面电极、硅衬底、第一键合层、第二键合层、镜面层、介质膜层、银纳米线电流扩展层、保护层、DBR反射层、功能层和环状接触电极，介质膜层上设置有导电通孔，导电通孔位于出光孔正下方；镜面层靠近介质膜层一侧的表面具有一凸台，凸台形状与导电通孔形状相套合，凸台完全嵌入至导电通孔中；凸台上表面采用平面结构，凸台上表面与介质膜层上表面齐平，且凸台上表面与银纳米线电流扩展层下表面直接接触。本申请所提供的反极性850nm红外发光LED芯片，在发光强度的提升同时具有良好的电流扩展和可靠性能。
主权项：1.一种反极性850nm红外发光LED芯片，其特征在于，所述芯片包括从下至上依次设置的背面电极、硅衬底、第一键合层、第二键合层、镜面层、介质膜层、银纳米线电流扩展层、保护层、DBR反射层、功能层和环状接触电极，所述环状接触电极的环内设置出光孔，所述出光孔设置于所述芯片上表面的左侧；所述介质膜层上设置有导电通孔，所述导电通孔位于所述出光孔正下方，且所述导电通孔孔径等于所述出光孔孔径；所述镜面层靠近所述介质膜层一侧的表面具有一凸台，所述凸台形状与所述导电通孔形状相套合，且所述凸台完全嵌入至所述导电通孔中；所述凸台上表面采用平面结构，所述凸台上表面与所述介质膜层上表面齐平，且所述凸台上表面与所述银纳米线电流扩展层下表面直接接触；所述银纳米线电流扩展层为采用银纳米线液作为旋涂液在保护层的表面进行旋涂和退火固化得到；所述保护层的材料为GaP，所述保护层的厚度为20nm～50nm；所述DBR反射层采用交替生长的Al0.9GaAs层和Al0.1GaAs层，共15对。
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