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摘要：本发明公开了一种基于条状中央收集电极的硅漂移探测器，包括横截面为腰圆形的柱状基体，基体顶部中间设有腰圆形的中央收集电极，中央收集电极周围设有腰圆形阴极环，腰圆形阴极环外侧设有保护环，基体底面设有腰圆形阴极环和保护环，腰圆形阴极环和中央收集电极之间、腰圆形阴极环之间设有条形阴极，中央收集电极、腰圆形阴极环、条形阴极和保护环上附有铝电极层，中央收集电极、腰圆形阴极环、条形阴极和保护环之间的基体上设有二氧化铝绝缘层；本发明的内部电势电场分布较均匀，具有较高的能量分辨率和位置分辨率，硅探测器单元的抗辐射能力和基片的表面利用率提高。

主权项：1.基于条状中央收集电极的硅漂移探测器，其特征在于，包括横截面为腰圆形的柱状基体1，所述基体1的顶面中间设有横截面为腰圆形的中央收集电极2，中央收集电极2周围的基体1顶面设有数个腰圆形阴极环4，腰圆形阴极环4外侧的基体1顶面设有保护环5，中央收集电极2的平行段、腰圆形阴极环4的平行段、保护环5的平行段与基体1顶面的平行段平行且长度相等，腰圆形阴极环4两端的半圆与中央收集电极2、保护环5、基体1顶面两端的半圆共圆心，中央收集电极2、腰圆形阴极环4和保护环5之间的间距相同；基体1顶面的腰圆形阴极环4的平行段之间、腰圆形阴极环4的平行段与中央收集电极2的平行段之间设有条形阴极3，条形阴极3的长度与腰圆形阴极环4平行段的长度相同；基体1底面也设有腰圆形阴极环4和保护环5，腰圆形阴极环4的平行段之间设有条形阴极3，腰圆形阴极环4、条形阴极3和保护环5在基体1底面的位置与其在基体1顶面的位置相同；中央收集电极2、腰圆形阴极环4、条形阴极3和保护环5上均附有铝电极层，中央收集电极2、腰圆形阴极环4、条形阴极3和保护环5之间的基体1上固定有二氧化铝绝缘层，二氧化铝绝缘层和铝电极层齐高；所述基体1为轻掺杂磷的n型硅，基体1的掺杂浓度为1x1012cm-3；中央收集电极2为重掺杂磷的n型硅，掺杂浓度为1x1019cm-3；腰圆形阴极环4和条形阴极3的掺杂类型相同，均为重掺杂硼的p型硅，掺杂浓度为1x1018cm-3；所述基体1的高度为300μm，中央收集电极2、腰圆形阴极环4、条形阴极3和保护环5的掺杂厚度均为1μm，铝电极层的厚度为1μm，中央收集电极2的平行段宽度为60μm，腰圆形阴极环4的环宽度为60μm，条形阴极3的宽度为5μm，腰圆形阴极环4与中央收集电极2之间、腰圆形阴极环4之间、腰圆形阴极环4与保护环5之间的间距均为30μm。

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