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摘要：本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1连续铸造；2坯料切割；3异径异步叠轧；4同径同步轧制；5热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
主权项：1.一种磁控溅射铜靶材的制备方法，其特征在于：将采用连续铸造法制备的铜坯料依次进行切割、异径异步叠轧、同径同步轧制、热处理后获得平均晶粒尺寸≤1μm且晶粒尺寸均匀、取向分布一致的高纯铜靶材；具体步骤包括：步骤1，将纯度为≥4N的铜原料放入高速连铸炉，设定相关参数为：温度1200℃，真空度抽至2.3×10-2Pa后充入惰性气体保护，工作气压0.01MPa，冷却水25℃，速度80-160mmmin，进行连续铸造制得铜坯料；其中，结晶器出口长为120mm-200mm，宽为3mm-10mm；步骤2，坯料切割：将铜坯切割成等分的块体；步骤3，异径异步叠轧1两块坯料上下叠放对齐后，对一端进行倒角处理，以便轧机咬入；2在导位槽引导下进行异径异步叠轧处理，轧制速度：20-30rmin，轧辊直径比：500mm-420mm400mm；异步比：1.05-1.25，压缩比：50％；导位槽宽度较坯料宽度大1-2mm；3坯料叠轧后均分切割；4坯料表面处理，以去除表面氧化层；重复1～4，完成8-10道次叠轧，每两道次叠轧后进行一次去应力退火；所述去应力退火：250℃-650℃，0.5-2h，真空环境炉冷；步骤4，同径同步轧制：根据最终产品需求，将叠轧后的坯料进行近尺寸精轧，若尺寸已达到产品尺寸要求，则可省去此步；步骤5，热处理：温度200℃-300℃，保温时间0.5-1h，真空环境炉冷。
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百度查询： 贵研铂业股份有限公司 一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用
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