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摘要:本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域,公开了一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法。以纯度大于5N的W粉为原料,先通过真空热压烧结的方式获得相对密度为80%~90%的预成型钨靶坯。然后通过多道次小变形热轧的方式在预成型钨靶坯表面0.5~2mm厚度的范围内形成相对密度为95%~99%的致密化表层,心部密度及组织状态仍保持不变。最后将多道次小变形轧制后的钨靶坯进行无包套热等静压烧结致密化处理,处理后将表层0.5~2mm厚度的轧制态组织去除,获得致密度≥99.5%,平均晶粒尺寸≤10μm,氧含量≤10ppm的高纯W靶坯。
主权项:1.一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法,其特征在于,所述方法包括:1以高纯W粉作为原料,所述高纯W粉纯度5N,氧含量500ppm;2将高纯W粉通过真空热压烧结获得相对密度为80%~90%的预成型钨靶坯;3将预成型钨靶坯进行多道次小变形热轧,控制单道次热轧变形量≤3%,总变形量为10%~15%,在预成型钨靶坯表面0.5~2mm厚度的范围内形成相对密度为95%~99%的致密化表层包套;4将经步骤3得到的钨靶坯进行热等静压烧结后,去除表层轧制态组织,获得高纯高致密细晶低氧钨靶材,所述高纯高致密细晶低氧钨靶材的纯度5N、致密度≥99.5%、平均晶粒尺寸≤10μm、氧含量≤10ppm。
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