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晶圆承载装置及晶圆吸附和解吸附状态判定方法 

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摘要:本发明提供一种晶圆承载装置及晶圆吸附和解吸附状态判定方法。晶圆承载装置包括:基座;绝缘层,设置在基座上,绝缘层内设置有吸附电极,绝缘层的上表面用于承载晶圆;电容测量器,分别与基座和晶圆接触,用于测量基座和晶圆之间的电容值,电容值用于判断晶圆在当前工艺状态下吸附或解吸附是否异常。本申请通过电容值断晶圆在当前工艺状态下吸附或解吸附是否异常,由于电容测量为电信号测量,可以实时检测,无滞后性。

主权项:1.一种晶圆承载装置,其特征在于,包括:基座;绝缘层,设置在基座上,所述绝缘层内设置有吸附电极,所述绝缘层的上表面用于承载晶圆;电容测量器,分别与所述基座和所述晶圆接触,用于测量所述基座和所述晶圆之间的电容值,所述电容值用于判断所述晶圆在当前工艺状态下吸附或解吸附是否异常。

全文数据:

权利要求:

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