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摘要:本发明涉及一种基于阻抗分段法测试离子器件记忆电容的方法,包括:对待测的记忆电容器进行阻抗测试,得到电容器阻抗Z与电压V的曲线图;进一步得到阻抗相角θ与电压V的曲线图,根据不同电压下θ的变化趋势,将θ与V的曲线图划分为几段不同的电压范围;对不同分段电压范围进行交流阻抗谱测试,得到对应的Nyquist图和Bode图;采用ZView软件构造不同电压范围内的等效电路图,对Nyquist图进行拟合,得到不同偏压下的电路元件参数值及相应电容值;将不同偏压对应的电容值绘制在一起,得到总电容C和电压V的曲线图。与现有技术相比,本发明实现了对多种结构离子器件进行测试的目的,能够有效地表征双电层电容、评估电容特性、研究离子传输机制并构造新型离子器件。
主权项:1.一种基于阻抗分段法测试离子器件记忆电容的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、使用阻抗分析仪对待测的记忆电容器进行不同偏压范围内的阻抗测试,以得到不同偏压下电容器阻抗Z与电压V的曲线图;S2、根据不同偏压下电容器阻抗Z与电压V的曲线图,进一步得到阻抗相角θ与电压V的曲线图,根据不同电压下阻抗相角θ的变化趋势,将阻抗相角θ与电压V的曲线图划分为几段不同的电压范围;S3、使用阻抗分析仪对分段得到的不同电压范围分别进行交流阻抗谱测试,得到对应的Nyquist图和Bode图;S4、采用ZView软件构造不同电压范围内的等效电路图,对步骤S3测试得到的Nyquist图进行拟合,得到不同偏压下的电路元件参数值及相应的电容值;S5、将不同偏压对应的电容值绘制在一起,从而得到总电容C和电压V的曲线图,完成对记忆电容器的测试。
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百度查询: 上海师范大学 一种基于阻抗分段法测试离子器件记忆电容的方法
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