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摘要：本发明属半导体光电子技术领域，具体涉及一种InPInGaAsP模斑转换器及其制作方法，包括在InP衬底上形成InP缓冲层，在InP缓冲层上形成由InGaAsP与InP外延层构成的引导层，在引导层上形成InP上转换层，在上转换层上依次形成InGaAsP波导层和InP帽层，在上述外延材料的模斑转换器区域上转换层InP材料、InGaAsP波导层和InP帽层上设置不同倾斜角的斜面，其斜面的总倾斜角度小于1.5°；本发明利用模斑转换器增加深脊波导的耦合端面面积，提高与光纤耦合模式尺寸，提升深脊波导的光耦合效率，减少所需耦合对准元器件数量，降低耦合工艺难度。
主权项：1.一种InPInGaAsP模斑转换器，其特征在于，包括：InP衬底、组分相同的模斑转换器和深脊波导，模斑转换器和深脊波导的组分包括InP缓冲层，在InP缓冲层上形成由InGaAsP外延层与InP外延层构成的引导层，在引导层上形成InP上转换层，在上转换层上依次形成InGaAsP波导层和InP帽层，在模斑转换器的InP上转换层、InGaAsP波导层和InP帽层上设置不同倾斜角的斜面，所有斜面的总倾斜角度小于1.5°；一个InGaAsP外延层和一个InP外延层组成一个周期的InGaAsPInP外延层，采用3-10个周期的InGaAsPInP外延层构成模斑转换器的引导层，其中，InGaAsP外延层的厚度为50nm～300nm，InP外延层的厚度为300nm～800nm；InGaAsP波导层的截止波长1.15μm，其中Ga原子配比为0.460，As原子配比为0.406。
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百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种InP/InGaAsP模斑转换器及其制作方法
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