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摘要：一种用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：磷酸；由化学式1表示的化合物；由化学式2表示的化合物；以及水。另外，一种用于对氮化硅层进行蚀刻的方法包括使氮化硅层的表面与用于氮化硅层的蚀刻组合物接触以及一种氮化硅层包括由蚀刻组合物蚀刻的蚀刻表面。化学式1R1aR2bCH3Si‑OR33‑a‑b化学式2R5cR6dR7Si‑OR83‑c‑d。
主权项：1.一种蚀刻组合物，包含：磷酸；由化学式1表示的化合物；由化学式2表示的化合物；以及水，其中以所述蚀刻组合物的总重量计，所述蚀刻组合物包含11重量％至16重量％的水，且在所述蚀刻组合物的质子核磁共振光谱中，源自Si-ORa的峰的面积对源自Si-CH3的峰的面积的比率为2至16，其中Ra是经取代或未经取代的烷基：化学式1R1aR2bCH3Si-OR33-a-b，在化学式1中，R1及R2各自独立地为氢、氘或者经取代或未经取代的C1至C10烷基，R3各自独立地为经取代或未经取代的C1至C10烷基，a及b各自独立地为0至2的整数，且0≤a+b≤2；化学式2R5cR6dR7Si-OR83-c-d，在化学式2中，R5及R6各自独立地为氢、氘、C1至C10烷基、其中一个或多个氢经–NRcRd取代的C1至C10烷基、或者通过将C2至C10烷基中的至少一个–CH2–由–NRe–代替而得到的基团，R7是其中一个或多个氢经–NRcRd取代的C1至C10烷基、或者通过将C2至C10烷基中的至少一个–CH2–由–NRe–代替而得到的基团，Rc至Re各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1至C5烷基、经取代或未经取代的C3至C10环烷基、经取代或未经取代的C6至C10芳基或其组合，R8是经取代或未经取代的C1至C10烷基，c及d各自独立地为0至2的整数中的一者，且0≤c+d≤2，且其中所述蚀刻组合物用于氮化硅层。
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百度查询： 三星SDI株式会社 用于氮化硅层的蚀刻组合物、使用其对氮化硅层进行蚀刻的方法及氮化硅层
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