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摘要：公开了一种三维闪存及其制造方法。根据一个实施方式，一种三维闪存可以包括形成为在一个方向上延伸的多个垂直串，每个垂直串包括形成为在所述一个方向上延伸的沟道层和形成为在所述一个方向上延伸从而围绕沟道层的电荷存储层，其中所述多个垂直串被分组为具有不同的截面面积的至少两组或更多组并且对于每组具有不同的数据存储量的特性，所述多个垂直串对于每组具有不同的电荷存储层的截面厚度，所述多个垂直串形成在公共源极线被设置在其中的衬底上，以及漏极区设置在沟道层上且连接位线。
主权项：1.一种三维闪存，包括形成为在一个方向上延伸的多个垂直串，每个垂直串包括形成为在所述一个方向上延伸的沟道层和形成为在所述一个方向上延伸从而围绕所述沟道层的电荷存储层，其中所述多个垂直串被分组为具有不同的截面面积的至少两组或更多组，并且对于每组具有不同的数据存储量的特性，其中所述多个垂直串对于每组具有不同的所述电荷存储层的截面厚度，其中所述多个垂直串形成在公共源极线被设置在其中的衬底上，以及其中漏极区设置在所述沟道层上，所述漏极区连接位线。
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百度查询： 三星电子株式会社 三维闪存及其制造方法
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