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摘要：本发明提供的是一种光电编码器芯片片上位置识别及优化方法。其特征是：由准直光源模块1、码盘2以及光电编码器芯片3组成；其中光电编码器芯片3由增量码道光电二极管阵列31、位移检测光电二极管阵列32、跨阻放大器电路33、比较器电路34组成；位移检测光电二极管阵列32由四组与PD1完全相同的光电二极管阵列组成，分别为PD1、PD2、PD3、PD4。本发明可用于光电编码器的安装对准过程。可广泛用于医疗定位、实验室、航海事业、航空航天、工业自动化、机器人技术、数控机床等领域。

主权项：1.一种光电编码器芯片片上位置识别及优化方法。其特征是：光电编码器芯片片上位置识别及优化方法由准直光源模块1、码盘2以及光电编码器芯片3组成；其中光电编码器芯片3由增量码道光电二极管阵列31、位移检测光电二极管阵列32、跨阻放大器电路33、比较器电路34组成；位移检测光电二极管阵列32由四组与PD1完全相同的光电二极管阵列组成，分别为PD1、PD2、PD3、PD4；位移检测光电二极管阵列32为弧形设计，其外围弧形金属层与码盘相内切；安装时可通过视觉识别观察对准情况，若PD1、PD2的金属层高于码盘位置，表明此时光电编码器芯片3相对码盘2的位置偏上，需将光电编码器芯片3下移至PD1、PD2的金属层与码盘2内切的状态；若PD1、PD2金属层低于码盘位置，表明此时光电编码器芯片3相对码盘2的位置偏下，需将光电编码器芯片3上移至PD1、PD2的金属层与码盘2内切的状态，当PD1、PD2的金属层与码盘2内切时，表示垂直对准完成；通过对位移检测光电二极管阵列32金属层形状的特殊设计，将对准时PD1与PD2的金属层和码盘2相内切这一现象作为标准来进行光电编码器芯片3的位置调整，确保了对准的精确度；启动光电编码器，准直光源模块1发出一道光束，经过码盘2后照射到光电编码器芯片3上，位移检测光电二极管阵列32接收到光信号后产生光电流，并将光电流输入到跨阻放大器电路33中；跨阻放大器电路33将各PD阵列产生的光电流信号转化为电压信号输出，其中PD1与PD2通过跨阻放大器电路33输出的电压信号作为一组，先将PD1通过跨阻放大器电路33输出的电压信号作为输入电压输入至比较器电路34中，PD2通过跨阻放大器电路33输出的电压信号作为基准电压输入至比较器电路34中，经过比较器电路34后输出A1信号；将PD3、PD4通过跨阻放大器电路33输出的电压信号做上述相同处理，经过比较器电路34后输出A2信号；若光电编码器芯片3与码盘2处于对准状态，则四组PD阵列感光面积相同，通过跨阻放大器电路33输出的电压信号大小也相同，当四组电压信号输入至比较器电路34后，由于输入电压等于基准电压，A1、A2通道均输出高电平，表明此时光电编码器芯片3与码盘2处于精确对准状态；若光电编码器芯片3相对码盘2向左偏心，PD1感光区域的一部分会被码盘2不透光的区域遮蔽，而PD2感光区域未被遮蔽，正常向跨阻放大器电路33输出信号，因此PD1通过跨阻放大器电路33产生的电压信号小于PD2通过跨阻放大器电路33产生的电压信号，经过比较器电路34后，A1输出低电平；而PD4感光区域的一部分也会被码盘2不透光的区域遮蔽，PD3感光区域未被遮蔽，正常向跨阻放大器电路33输出信号，因此PD3通过跨阻放大器电路33产生的电压信号大于PD4通过跨阻放大器电路33产生的电压，经过比较器电路34后，A2输出高电平，此时应以码盘2的圆心为参考点，将光电编码器芯片3向右移动，直至A1、A2通道同时输出高电平，表明光电编码器芯片3与码盘2已完成精确对准；若光电编码器芯片3相对码盘2向右偏心，则正好相反，A1输出高电平，A2输出低电平，此时应以码盘2的圆心为参考点，将光电编码器芯片3向左移动，直至A1、A2通道同时输出高电平，表明光电编码器芯片3与码盘2已完成精确对准；本发明通过位移检测光电二极管阵列32金属层的特殊形状设计以及跨阻放大器电路33和比较器电路34实现了对光电编码器芯片3相对码盘2位置的精确识别，能准确判别光电编码器芯片3相对码盘2的位置并及时做出精确调整，显著提高了光电编码器芯片3与码盘2的对准精度。

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