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摘要：本发明针对目前薄膜铌酸锂单边带声光调制器件的效率偏低、射频带宽不足等缺点，提出一种基于水平剪切声表面波的薄膜铌酸锂单边带声光调制器件。该器件从下至上包含硅衬底、二氧化硅层及薄膜铌酸锂层。所述薄膜铌酸锂层包含模间声光调制单元以及非对称定向耦合器单元。通过计算分析，本发明提出的薄膜铌酸锂声光调制器的效率与传统瑞利声表面波方案相比可提升至少一个数量级、射频带宽提升约5倍。此外，本发明采用模间声光调制单元与非对称定向耦合器片上集成的方案，可进一步实现高调制效率、高带宽的单边带声光调制，具备高集成度、工艺简易、高鲁棒性以及可规模化扩展等优势，为高性能薄膜铌酸锂声光调制器的实用化奠定重要基础。
主权项：1.一种薄膜铌酸锂声光调制器，包括自下而上依依次的硅衬底、二氧化硅埋氧层及薄膜铌酸锂层，其特征在于，所述薄膜铌酸锂层中集成有模间声光调制单元及非对称定向耦合器单元，其中，所述模间声光调制单元通过水平剪切声表面波实现光场的调制，所述非对称定向耦合器单元用于将调制后的光信号分离并输出单边带调制信号。
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百度查询： 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种薄膜铌酸锂声光调制器
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