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摘要：本发明公开了一种基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器及其制备方法，属于微纳加工与光电忆阻器技术领域。所述碲基光电忆阻器以经溶液等离子体处理后的二维2DTe材料作为半导体光电功能层。本发明通过对2DTe材料进行溶液等离子体处理，在原有的材料基础上引入了更多的缺陷，将其作为光电忆阻器的半导体光电功能层，实现了忆阻行为；本发明制备的忆阻器件的光学或者电学行为可用来模拟突触的短时可塑性，进一步用在神经形态计算领域。
主权项：1.一种基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器，其特征在于，所述碲基光电忆阻器以经溶液等离子体处理后的2DTe材料作为半导体光电功能层。
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百度查询： 东北师范大学 一种基于溶液等离子体处理的碲基光电忆阻器及其制备方法
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