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摘要：本发明提供了一种二维铁电光电忆阻器、其制备方法及应用。本发明所提供的忆阻器的结构可表示为PdBi2Te3‑xSexSnSeySiO2Si，其中，0＜x＜3，0.6＜y＜2。该忆阻器的制备方法包括：清洗、干燥Si片；将处理好的Si片放入热氧化炉高温退火，生长SiO2薄膜；在SiO2Si衬底层上通过PLD技术生长SnSey功能层；在SnSey功能层上生长Bi2Te3‑xSex功能层；最后通过磁控溅射法在Bi2Te3‑xSex功能层上生长Pd顶电极层。本发明中的忆阻器自身具有光电两种突触特性，单一器件可以实现高效存储和处理信息的多功能集成，I‑V曲线具有很好的稳定性，性能表现良好，是一种存储性能佳、应用前景更为广阔的非易失性存储器。
主权项：1.一种二维铁电光电忆阻器，其特征是，其结构是在SiO2Si衬底上依次形成有SnSey功能层、Bi2Te3-xSex功能层和Pd顶电极层；其中，0＜x＜3，0.6＜y＜2。
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百度查询： 河北大学 一种二维铁电光电忆阻器、其制备方法及应用
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