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摘要：本发明公开了一种红外探测器及其制作方法。所述红外探测器的吸收层为N型InAsInAsSb超晶格或者N型InGaAsInAsSb超晶格，并且所述红外探测器的势垒层为N型InGaAsSb材料。在本发明的红外探测器中，InGaAsSb势垒层价带与InGaAsInAsSb超晶格吸收区价带平齐，形成电子势垒，有助于降低器件暗电流，同时器件结构中只有In、Ga、As、Sb四种元素，结构简单，降低了材料生长和加工的难度。
主权项：1.一种红外探测器，其特征在于，所述红外探测器的吸收层（12）为N型InAsInAsSb超晶格或者N型InGaAsInAsSb超晶格，并且所述红外探测器的势垒层（13）为N型InGaAsSb材料。
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百度查询： 苏州晶歌半导体有限公司 红外探测器及其制作方法
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