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摘要：碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法，属于半导体技术领域，包括清洗烘干晶圆抛光片，按顺序置于晶片花篮中；将单个晶圆抛光片移动到显微镜的样品台上；将所述单个晶圆抛光片在显微镜视场进行面扫描，得到所述单个晶圆抛光片的形貌特征图片；根据所述形貌特征图片，对所述单个晶圆抛光片中的位错进行分类识别，并记录各个位错相对于晶圆平面的位置坐标，统计各类位错的数量；将所述单个晶圆抛光片置于置片花篮中。本发明通过三维追踪的方法，逆向分析了晶体生长过程中多型以及各类位错的起源以及相互之间的演化，这对于晶体生长工艺的改善以及晶体生长质量的提高，提供了极大的帮助。
主权项：1.碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法，其特征在于，包括位错识别统计与位错分析，所述位错识别统计包括以下步骤：步骤S1：将来自同一晶锭中的若干个晶圆抛光片，经过清洗烘干，按顺序置于晶片花篮中；步骤S2：将单个晶圆抛光片移动到显微镜的样品台上；步骤S3：将所述单个晶圆抛光片划分成若干个扫描区域，在显微镜视场进行面扫描，得到所述单个晶圆抛光片的形貌特征图片；步骤S4：根据所述形貌特征图片，对所述单个晶圆抛光片中的位错进行分类识别，得到所述单个晶圆抛光片中位错的种类识别数据，并记录各个位错相对于晶圆平面的位置坐标，得到各个位错相对于晶圆平面的位置坐标数据；步骤S5：根据所述种类识别数据，统计各类位错的数量，得到各类位错数量数据；步骤S6：将所述单个晶圆抛光片置于置片花篮中；步骤S7：重复所述步骤S2－所述步骤S6，按顺序将所述晶片花篮中的所述晶圆抛光片全部识别统计完毕；所述位错分析包括以下步骤：步骤S8：根据所述位置坐标数据与所述各类位错数量数据，得到位错种类与各类位错数量分别沿晶锭轴向的轴向分布数据；步骤S9：根据所述轴向分布数据，对比若干所述晶圆抛光片面内同一位置的位错种类与各类位错数量；所述位置坐标的确定包括以下步骤：显微镜对晶圆抛光片按照预设的所述扫描区域的面积的视野连续拍摄照片，对每一张照片进行命名，且若干个晶圆抛光片在相同位置拍摄的图片的文件名相同，所述文件名为位置坐标，统计并分析相邻两个晶圆抛光片在同一位置的位错变化关系。
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