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摘要：一种混合键合结构及混合键合方法，该混合键合结构包括：第一芯片10和第二芯片20，第一芯片10的表面包括第一绝缘介质11和第一金属12，第一金属12和第一绝缘介质11之间具有第一空隙区域13；第二芯片20的表面包括第二绝缘介质21和第二金属22；第一金属12的表面高于第一绝缘介质11的表面；第一金属22和第二金属22接触后形成金属键合，在第一空隙区域13内，第一金属12发生纵向和横向的形变；第一绝缘介质11和第二绝缘介质21接触后形成绝缘介质键合。通过设置第一空隙区域13，保证第一金属12可以同时发生纵向和横向的形变，可以避免出现金属键合缺陷和介质键合缺陷，提高量产良率和器件的长期可靠性。
主权项：1.一种混合键合结构，其特征在于，包括：第一芯片和第二芯片：其中，所述第一芯片的表面包括第一介质层和第一金属层，所述第一介质层包括第一绝缘介质，所述第一金属层包括第一金属，所述第一绝缘介质朝向所述第一金属的边缘刻蚀有缺口，以使所述第一金属的边缘与所述第一绝缘介质之间具有第一空隙区域；所述第二芯片的表面包括第二介质层和第二金属层，所述第二介质层包括第二绝缘介质，所述第二金属层包括第二金属；所述第一金属的表面高于所述第一绝缘介质的表面，所述第一金属的直径小于所述第二金属的直径，所述第一金属和所述第二金属接触后形成金属键合，在所述第一空隙区域内，所述第一金属发生纵向和横向的形变；所述第一绝缘介质和所述第二绝缘介质接触后形成绝缘介质键合。
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百度查询： 华为技术有限公司 一种混合键合结构以及混合键合方法
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