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摘要：本发明提出了一种半导体外延片缺陷定位方法，属于半导体外延片领域，在外延片表面的边缘位置布设若干定位标记，根据定位标记在外延片表面上设置坐标轴，并获知各定位标记的特征信息；进行外延片扫描并检测出外延片上的各缺陷，通过坐标轴及定位标记确定各缺陷的特征信息；以外延片上的定位标记及坐标轴作为基准，绘制出晶圆片仿真图并在晶圆片仿真图上绘制出各缺陷，在晶圆片仿真图上投射巴条及芯片设计图，输出受到缺陷影响的芯片的数量及特征信息；在外延片边缘设置特定形状、尺寸及位置的定位标记，避开设备自身和人为操作带来的坐标误差，将对缺陷的定位转化为检索定位标记与缺陷的相对坐标位置关系，从而将无规则形状缺陷定位到版图上。

主权项：1.一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：包括以下步骤，S1，在外延片1表面的边缘位置布设若干定位标记100，根据定位标记100在外延片1表面上设置坐标轴，并获知各定位标记100的特征信息；S2，进行外延片1扫描并检测出外延片1上的各缺陷，通过坐标轴及定位标记100确定各缺陷的特征信息；S3，以外延片1上的定位标记100及坐标轴作为基准，绘制出晶圆片仿真图2并在晶圆片仿真图2上绘制出各缺陷，在晶圆片仿真图2上投射巴条及芯片设计图，输出受到缺陷影响的芯片的数量及特征信息；步骤S1包括以下步骤，S11，在外延片1表面上设置坐标轴，将在坐标轴相邻的两个象限内分别设置一组定位标记100并记为第一标记101，在坐标轴的另外两个象限内分别设置一组定位标记100并记为第二标记102，第一标记101与第二标记102的形状不同，各组定位标记100在所处象限内围绕坐标轴基点等距布设，且属于同组的各定位标记100的尺寸沿顺时针或者逆时针方向逐个增加，各定位标记100与外延片1表面外轮廓的间距相同；各组定位标记100包括八个第一标记101或者八个第二标记102，全部定位标记100合计三十二个；设坐标轴的四个方向分别为0°、90°、180°及270°，三十二个定位标记100沿顺时针方向分别设置在10°至80°、100°至170°、190°至260°以及280°至350°的位置，同组的各定位标记100依次间隔10°布设；S12，根据定位标记100在外延片1表面上确定坐标轴的基点，并获知各第一标记101及第二标记102的特征信息；S13，将第一标记101及第二标记102通过光刻转移到外延片1表面的边缘位置；S14，外延片1的边缘设置有至少一个平边11，在外延片1表面上贴近其中一个平边11的边缘位置设置定位标记100并记为对位标记103，并在平边11的相对侧对称设置另一个对位标记103；平边11设置在坐标轴的90°方向，两个对位标记103分别设置在95°及265°的位置；步骤S3包括以下步骤，S31，以外延片1上的定位标记100及坐标轴作为基准绘制出晶圆片仿真图2，根据各缺陷的特征信息在晶圆片仿真图2上绘制出各缺陷；S32，根据某一产品的规格设计出巴条及芯片设计图，将巴条及芯片设计图投射到晶圆片仿真图2上，获知巴条3及芯片设计布局位于晶圆片仿真图2上时缺陷的分布情况；S33各巴条3包括若干单管芯，检索并记录晶圆片仿真图2上受到缺陷影响的单管芯在坐标轴上的特征信息，统计受到影响的单管芯的数量，输出芯片良率报表及缺陷分布可视化的晶圆片仿真图2；如果单管芯的关键区域上落入有缺陷则判定单管芯为非良品。

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