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摘要：本发明公开了一种针对MEMS多层集成工艺误差对器件性能影响的分析方法，以特定波导、腔体结构为原型，设计新型拓扑结构的太赫兹定向耦合器，建立器件的精确几何模型，并根据硅基三维堆叠制备工艺中的刻蚀深度、堆叠错位等误差参数，以模式匹配法为基础对太赫兹波导定向耦合器进行快速仿真，量化分析各类误差因素对器件性能的影响，并建立随机误差与典型太赫兹器件性能间的特征映射关系，以此为参考辅助器件结构尺寸的调整和优化，降低器件性能对关键尺寸的敏感度要求，提高硅基太赫兹定向耦合器的鲁棒性。
主权项：1.针对MEMS多层集成工艺误差对器件性能影响的分析方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：确定太赫兹波导模组件的结构尺寸、加工误差的误差容限、误差参数分布、器件性能指标和统计样本数量N；S2：通过模式匹配算法计算器件的性能参数；S3：通过蒙特卡洛方法生成N组服从截断正态分布的误差样本，得到误差样本数据集；S4：加载S3生成的误差，将设定的结构尺寸替换为加载误差后的尺寸，并通过S2计算加载误差情况下器件的性能参数，重复进行此步骤直至完成对误差样本数据集中所有样本的计算；S5：对S4计算得到的N组误差样本的器件性能参数数据进行后处理，对计算结果进行记录、统计，并输出统计结果；S6：对于S5输出的统计结果进行可视化处理，绘制统计结果图像用以评估误差对器件性能的影响。
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百度查询： 南京信息工程大学 针对MEMS多层集成工艺误差对器件性能影响的分析方法
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