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摘要：本发明公开一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置及方法，在第一层内设计两个尺寸不同的构件，并采用电学测试加以判断，以快速获取监测沟槽MOS的沟槽宽度的偏差情况，无需对芯片进行破坏性的解剖测试，并且根据不同尺寸的构件，可以监测到每一片晶圆的指定位置区域的沟槽宽度，相比于传统方法的监测频次和范围更加完善。
主权项：1.一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，包括：第一层100；第二层200，铺设于所述第一层100上；两个尺寸不同的构件，两个所述构件分别设置于所述第一层100内；所述构件包括沟槽300以及电阻400，所述沟槽300围绕于所述电阻400，所述沟槽300内依次填充有第一物质301和第二物质302；所述第二层200上设有两个与所述沟槽300的两端接通的第一接触孔201以及两个与所述沟槽300的同一侧接通的第二接触孔202，其中，两个第一接触孔201内以及两个第二接触孔202内均填充有金属电极203。
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