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摘要：本实用新型公开了一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括外封装壳体以及外封装壳体顶端一体成型的呈拱形的上塑封壳，所述外封装壳体的底部安装有P型衬底，且所述P型衬底顶端的中心位置处设置有二氧化硅绝缘层，且所述二氧化硅绝缘层的上表面安装有多晶硅栅极，所述P型衬底顶端的两侧皆设置有扩散区N+。本实用新型通过设置C口屏蔽罩和增加铜箔，在一定程度上隔离外部的电磁干扰，以保护器件内部免受外界干扰的影响，从而提高器件的稳定性和可靠性，且器件在高频、高温、高压等苛刻工作条件下工作时，C口屏蔽罩和铜箔也可以有效提高器件的抗干扰能力。
主权项：1.一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于：包括外封装壳体1以及外封装壳体1顶端一体成型的呈拱形的上塑封壳10，所述外封装壳体1的底部安装有P型衬底2，且所述P型衬底2顶端的中心位置处设置有二氧化硅绝缘层7，且所述二氧化硅绝缘层7的上表面安装有多晶硅栅极8，所述P型衬底2顶端的两侧皆设置有扩散区N+4，两个所述扩散区N+4的顶端分别安装有源极S5、漏极D6，所述上塑封壳10顶部的两侧皆粘接有C口屏蔽罩11，且所述C口屏蔽罩11的内部安装有铜箔1102。
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百度查询： 宁波工程学院 一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件
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