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摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统，该半导体器件包括具有沿第一方向排布的存储区域及连接区域，位于存储区域及连接区域的两侧并沿第一方向延伸的第一栅线隔离结构，位于连接区域的第一栅线隔离结构之间并沿第一方向延伸的第二栅线隔离结构，栅极层具有至少位于存储区域的主体部和位于连接区域的连接部，连接部连接主体部和位于连接区域的接触部，部分连接部邻接于第二栅线隔离结构；本申请通过在半导体器件的连接区域内将部分连接部邻接于第二栅线隔离结构设置，以供部分接触部与存储区域相连通，使半导体器件的连接区域能够在有限的面积内增设更多接触部，有效提升连接区域的面积利用率。
主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：形成由多层第一材料层及第二材料层交叠设置的堆叠层，所述堆叠层包括沿第一方向排布的存储区域及连接区域；于所述存储区域与所述连接区域的两侧形成沿所述第一方向延伸的第一栅线缝隙，并于所述连接区域的所述第一栅线缝隙之间形成沿所述第一方向延伸的至少一个第二栅线缝隙，所述第一栅线缝隙及所述第二栅线缝隙沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向相交；于所述连接区域中所述第一栅线缝隙之间形成多个接触孔；将各所述第一材料层置换为栅极层，并在各所述接触孔中形成接触部，多个所述栅极层分别包括至少位于所述存储区域的主体部及位于所述连接区域的连接部，所述连接部沿所述第一方向延伸并连接所述主体部与所述接触部，部分所述连接部在所述第二方向上邻接于所述第一栅线缝隙的一侧，及部分所述连接部在所述第二方向上邻接于所述第二栅线缝隙的一侧。
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百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统
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