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摘要：本发明提供一种基于激光剥离的微型发光二极管芯片转移方法，用于将形成在晶片的各块的微型发光二极管芯片转移到玻璃基板，所述方法包括：转移对象大小确定步骤，利用每个块发光二极管芯片映射图来确定需要转移的转移对象大小，其中晶片的每个块中存储发光二极管芯片的使用状态信息；掩模尺寸确定步骤，当针对晶片未转移块，即针对晶片上未使用发光二极管芯片的块进行发光二极管芯片转移时，使用所述转移对象大小来确定用于使未用于转移的晶片的废料块最小化的掩模尺寸；晶片转移对象区域位置确定步骤，确定需要转移的晶片转移对象区域的起点位置；及转移步骤，使具有所述掩模尺寸的掩模位于所述晶片转移对象区域的起点位置并照射激光，从而转移形成在晶片转移对象区域的发光二极管芯片。

主权项：1.一种微型发光二极管芯片转移方法，其是基于激光剥离的微型发光二极管芯片转移方法，用于将形成在晶片的各块的微型发光二极管芯片转移到玻璃基板，其特征在于，包括如下步骤：转移对象大小确定步骤，利用每个块发光二极管芯片映射图来确定需要转移的转移对象大小，其中晶片的每个块中存储发光二极管芯片的使用状态信息；掩模尺寸确定步骤，当针对晶片未转移块，即针对所述晶片上未使用发光二极管芯片的块进行所述发光二极管芯片转移时，使用所述转移对象大小来确定用于使未用于转移的晶片的废料块最小化的掩模尺寸；晶片转移对象区域位置确定步骤，确定需要转移的晶片转移对象区域的起点位置；以及转移步骤，使具有所述掩模尺寸的掩模位于所述晶片转移对象区域的起点位置并照射激光，从而转移形成在晶片转移对象区域的发光二极管芯片；其中，所述转移对象大小确定步骤包括：每个块发光二极管芯片映射图搜索步骤，通过搜索所述每个块发光二极管芯片映射图来提取未使用发光二极管芯片最多的每个块发光二极管芯片映射图，其中所述晶片的每个块中存储所述发光二极管芯片的使用状态信息；晶片未转移最大大小确定步骤，将提取的所述每个块发光二极管芯片映射图中发光二极管芯片未使用的最大矩形区域确定为晶片未转移最大大小；玻璃未转移最大大小确定步骤，将玻璃基板上未转移的区域中的最大矩形区域确定为玻璃未转移最大大小；以及比较确定步骤，将所述晶片未转移最大大小与所述玻璃未转移最大大小进行比较，将最小大小确定为转移对象大小。

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