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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
摘要：本发明提供了一种LDNMOS的制造方法，该方法包括：提供一P型基底；在P型基底中形成浅沟槽隔离STI，所述STI位于要形成的N阱中，且位于要形成的漏区与多晶硅栅极之间；通过离子注入形成P阱；在N阱对应位置表面形成具有间隔的阻挡层，以该阻挡层为遮蔽，进行离子注入形成N阱后去除所述具有间隔的阻挡层；所述具有间隔的阻挡层至少遮蔽N阱和P阱的界面处；在所述P型基底表面对应覆盖部分N阱和部分P阱的位置形成栅氧化层和多晶硅栅极；在多晶硅栅极两侧的P阱和N阱中分别进行N+掺杂形成源区和漏区。本发明还提供了一种LDPMOS的制造方法。采用本发明能够进一步提高击穿电压。
主权项：一种横向扩散N型金属氧化物半导体晶体管LDNMOS的制造方法，该方法包括：提供一P型基底；在P型基底中形成浅沟槽隔离STI，所述STI位于要形成的N阱中，且位于要形成的漏区与多晶硅栅极之间；通过离子注入形成P阱；在N阱对应位置表面形成具有间隔的阻挡层，以该阻挡层为遮蔽，进行离子注入形成N阱后去除所述具有间隔的阻挡层；所述具有间隔的阻挡层至少遮蔽N阱和P阱的界面处；在所述P型基底表面对应覆盖部分N阱和部分P阱的位置形成栅氧化层和多晶硅栅极；在多晶硅栅极两侧的P阱和N阱中分别进行N+掺杂形成源区和漏区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 LDNMOS及LDPMOS的制造方法
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