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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
摘要：本发明提供了一种LDNMOS结构及其制造方法，通过在现有LDNMOS结构的N-漂移区刻蚀出沟槽，并外延生成SiC用以提高击穿电压，可使得N-漂移区的长度缩小，达到缩小LDNMOS尺寸，提高击穿电压的目的。
主权项：一种LDNMOS的制造方法，包括：提供单晶Si基片；掺杂单晶Si基片形成P型单晶Si基底；在P型单晶Si基底上沉积一层氮化物；在P型单晶Si基底上对应N‑漂移区的位置刻蚀生成沟槽；在所述沟槽中沉积SiC；对所述P型单晶Si基片进行化学机械研磨去除多余SiC后，去除氮化物；对所述SiC进行N‑离子注入并扩散形成N‑漂移区；通过离子注入并扩散形成P阱；在所述SiC中进行N+掺杂形成漏区；在所述P阱中进行N+掺杂形成源区；在所述N‑漂移区形成STI；在所述P型单晶Si基片上对应覆盖部分N‑漂移区和部分P阱的位置形成栅氧化层和多晶硅栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 LDNMOS结构及其制造方法
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