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申请/专利权人：山东汉旗科技有限公司
摘要：本发明属于电子电路领域，具体涉及一种新型隔离型LDNMOS器件及其控制电路。器件包括P型衬底（101），P型衬底（101）上配置相互连接的高压深N阱（102）和sonos深N阱（118），所述的高压深N阱（102）与sonos深N阱（118）的外侧均配置隔离环（103），sonos深N阱（118）底部配置具有上一个凸出的曲线的阱底界（119），用于调整具有一个上凸出的曲线的阱底界（119）对应的sonos深N阱（118）漏极端漂移区的电场分布并使得电场分布平坦化。本发明不仅使得高压器件的击穿特性和源漏导通电阻特性得以同时优化，还可以使得漏极端漂移区的电场分布平坦化达到理想目的。
主权项：1.新型隔离型LDNMOS器件，其特征在于，包括P型衬底（101），在P型衬底（101）上配置相互连接的高压深N阱（102）和sonos深N阱（118），所述的高压深N阱（102）与sonos深N阱（118）的外侧均配置隔离环（103），sonos深N阱（118）底部配置具有一个上凸出的曲线的阱底界（119），用于调整具有一个上凸出的曲线的阱底界（119）对应的sonos深N阱（118）漏极端漂移区的电场分布并使得电场分布平坦化；所述的配置具有一个上凸出的曲线的阱底界（119），用于调整具有一个上凸出的曲线的阱底界（119）对应的sonos深N阱（118）漏极端漂移区的电场分布并使得电场分布平坦化具体的：首先构建，漏极端漂移区的电场的理想化平坦曲线fd;将在初始条件“sonos深N阱（118）底部配置直线的阱底界（119）”下实际漏极端漂移区的电场曲线表征为ft;计算差分曲线ft-fd=fc;建立“sonos深N阱（118）底部配置具有一个上凸出的曲线的阱底界（119）”基础上曲线的阱底界物理位置微分结构与fc的映射关系，然后设在该映射关系下凸出的曲线的阱底界（119）对应的函数为fj，fj具体以底界物理位置j1为自变量，以物理位置对应的差分曲线影响j2为因变量，j2实际指的：ft和fd确定的基础上，特定的j1对应fc的改变量；然后计算一个fj使得=fc。
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权利要求：
百度查询： 山东汉旗科技有限公司 新型隔离型LDNMOS器件及其控制电路
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