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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
摘要：本发明提供了一种LDNMOS结构及其制造方法，通过在现有LDNMOS结构的N-漂移区刻蚀出沟槽，并外延生成SiC用以提高击穿电压，可使得N-漂移区的长度缩小，达到缩小LDNMOS尺寸，提高击穿电压的目的。
主权项：一种LDNMOS结构，包括P型单晶Si基底以及在P型基底上依次形成的栅氧化层及多晶硅栅极；所述P型基底包括P阱和N‑漂移区，所述P阱中设置有源区，所述N‑漂移区中设置有漏区；在所述N‑漂移区中、漏区与多晶硅栅极之间设置有STI，其特征在于，所述N‑漂移区的部分或全部由N‑掺杂的SiC区构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 LDNMOS结构及其制造方法
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