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申请/专利权人：苏州隆誊微电子科技有限公司

摘要：本实用新型提供了一种大电流密度的LDNMOS结构，所述LDNMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置，所述源区和所述背栅采用小尺寸，在所述LDNMOS结构的增强型N沟道层下设有N阱环，所述N阱环的底部靠近N型埋层，用于构建深保护环。本实用新型能够缩短LDNMOS结构的布线距离，降低导线上电阻，进而减小开关的导通电阻。另外，本实用新型通过深N阱环的设计减小大电流时的衬底注入，消除闩锁效应，可收集最高比例的电子，同时有助于防止欧姆去偏置。

主权项：一种大电流密度的LDNMOS结构，其特征在于，所述LDNMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置，所述源区和所述背栅采用小尺寸；在所述LDNMOS结构的增强型N沟道层下设有N阱环，所述N阱环的底部靠近N型埋层，用于构建深保护环。

全文数据：一种大电流密度的LDNMOS结构技术领域[0001]本实用新型涉及一种大电流密度的LDNMOS结构。背景技术[0002]LDNMOS管是比较常见的M0S管，但是现有的LDNMOS管中背栅和源区的尺寸较大，结构布局不够合理，导致导线上的电阻增加，影响开关的导通电阻。另外，作为常用的功率输出级DM0S管，在通以大电流时，衬底注入大电流，闩锁效应明显。[0003]因此，需要改进LDNMOS结构的区域排布，提高产品性能。实用新型内容[0004]本实用新型的一个目的是要提供一种大电流密度的LDNMOS结构，其能够缩短LDNMOS结构的布线距离，降低导线上电阻，进而减小开关的导通电阻。[0005]本实用新型一个进一步的目的是要减小大电流时的衬底注入，消除闩锁效应，可收集最高比例的电子，同时有助于防止欧姆去偏置。[0006]特别地，本实用新型提供了一种大电流密度的LDNMOS结构，所述LDNMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置，所述源区和所述背栅采用小尺寸。[0007]优选地，在所述LDNMOS结构的增强型N沟道层下设有N阱环，所述N阱环的底部靠近N型埋层，用于构建深保护环。[0008]优选地，所述LDNMOS结构与衬底电隔离，是通过PN结反偏隔离。[0009]优选地，以所述源区和背栅的布置方向为宽度，所述源区的最小宽度为lum，所述背栅的最小尺寸为3um〇[0010]与现有技术相比较，本实用新型的优点在于：[0011]本实用新型中区域结构调整，能够缩短LDNMOS结构的布线距离，降低导线上电阻，进而减小开关的导通电阻。另外，本实用新型通过深N阱环的设计减小大电流时的衬底注入，消除闩锁效应，可收集最高比例的电子，同时有助于防止欧姆去偏置。[0012]根据下文结合附图对本实用新型具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本实用新型的上述以及其他目的、优点和特征。附图说明[0013]后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本实用新型的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：[0014]图1是根据本实用新型一个实施例的LDNMOS结构的结构示意图；[0015]图2是图1所示的LDNMOS结构中的背栅和源区的布局结构示意图。具体实施方式[0016]图1是根据本实用新型一个实施例的LDNM0S结构的结构示意图；图2是图1所示的LDNM0S结构中的背栅和源区的布局结构示意图。[0017]如图1所示，其中：[0018][0019]在本实施例中，所述大电流密度的LDNM0S结构内，所述LDNM0S结构的源区和背栅之间为间隔设置，所述源区和所述背栅采用小尺寸。[0020]优选地，在所述LDNM0S结构的增强型N沟道层下设有N阱环，所述N阱环的底部靠近N型埋层，用于构建深保护环。[0021]优选地，所述LDNM0S结构与衬底电隔离，是通过PN结反偏隔离。[0022]进一步地，以所述源区和背栅的布置方向为宽度，所述源区的最小宽度为lum，所述背栅的最小尺寸为3um，一般最终根据工艺参数及应用（电流，耐压等来确定尺寸。[0023]本实用新型实施例中的LDNM0S结构通过区域结构调整，能够缩短LDNM0S结构的布线距离，降低导线上电阻，进而减小开关的导通电阻。另外，本实用新型通过深N阱环的设计减小大电流时的衬底注入，消除闩锁效应，可收集最高比例的电子，同时有助于防止欧姆去偏置。[0024]至此，本领域技术人员应认识到，虽然本文已详尽示出和描述了本实用新型的多个示例性实施例，但是，在不脱离本实用新型精神和范围的情况下，仍可根据本实用新型公开的内容直接确定或推导出符合本实用新型原理的许多其他变型或修改。因此，本实用新型的范围应被理解和认定为覆盖了所有这些其他变型或修改。

权利要求：1.一种大电流密度的LDNMOS结构，其特征在于，所述LMMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置，所述源区和所述背栅采用小尺寸；在所述LDNM0S结构的增强型N沟道层下设有N阱环，所述N阱环的底部靠近N型埋层，用于构建深保护环。2.根据权利要求1所述的大电流密度的LDNM0S结构，其特征在于，所述LDNM0S结构与衬底电隔离，是通过PN结反偏隔离。3.根据权利要求1至2中任一项所述的大电流密度的LD匪0S结构，其特征在于，以所述源区和背栅的布置方向为宽度，所述源区的最小宽度为lum，所述背栅的最小尺寸为3um〇

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