龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片，全隔离LDNMOS包括P型衬底、高压N阱、N型漂移区、若干STI、P型体区、源区、漏区、闸极和N型漂移区的全隔离区；制作方法包括以下步骤：利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成N型漂移区的全隔离区。本发明利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成全隔离LDNMOS的N型漂移区的全隔离区，省去了传统全隔离LDNMOS中需要利用一层光罩采用高能注入的形式单独形成P型埋层作为N型漂移区的全隔离区的步骤，通过简化工艺步骤降低了制造成本，并且通过RESURF效应改善了LDNMOS的导通电阻，保证击穿电压以及导通电阻均可以匹配传统全隔离LDNMOS的表现。
主权项：1.一种基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法，所述全隔离LDNMOS包括P型衬底、高压N阱、N型漂移区、若干STI、P型体区、源区、漏区、闸极和所述N型漂移区的全隔离区；其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成所述N型漂移区的全隔离区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号