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可靠性测试结构专利

发布时间:2018-12-03 10:12:17 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 可靠性测试结构

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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日:2014-03-28

公开(公告)日:2014-08-27

公开(公告)号:CN203800037U

专利技术分类:.加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案[2006.01]

专利摘要:本实用新型揭示了一种可靠性测试结构,该测试结构包括衬底,所述衬底中包括有源区结构;栅极结构,所述栅极结构位于所述衬底上,并横跨于所述有源区结构之上,所述栅极结构与所述有源区结构呈十字排列。本实用新型的测试结构能节约晶圆的面积,减少测试次数。

专利权项:一种可靠性测试结构,其特征在于,包括: 衬底,所述衬底中包括有源区结构; 栅极结构,所述栅极结构位于所述衬底上,并横跨于所述有源区结构之上,所述栅极结构与所述有源区结构呈十字排列。 

百度查询: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 可靠性测试结构

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