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申请/专利权人：立积电子股份有限公司
申请日：2013-05-29
公开（公告）日：2016-09-21
公开（公告）号：CN103457585B
专利技术分类：.补偿物理量（例如温度）变化的改进[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种RF开关的电容补偿电路，改善RF开关关于RF开关系统中的电压振幅分配，以确保RF开关关于关闭时刻保持预期的关闭状态，提高动作准确度及设计效率。该RF开关包含一晶体管及一电容补偿电路，该电容补偿电路包含容值相等的一第一补偿电容及一第二补偿电容，用以改善该晶体管的控制端及第一端之间和该晶体管的控制端及第二端之间的电压分配。
专利权项：一种RF开关，其特征在于，包含：一晶体管；一第一补偿电容，耦接于该晶体管的控制端及该晶体管的第一端之间；及一第二补偿电容，耦接于该晶体管的控制端及该晶体管的第二端之间；一第一寄生电容，存在于该晶体管的控制端与该晶体管的第一端之间；一第二寄生电容，存在于该晶体管的控制端与该晶体管的第二端之间；其中，该第一补偿电容的容值等于该第二补偿电容的容值，该第一补偿电容用于调整该晶体管的控制端与该晶体管的第一端之间的等效电容，该第二补偿电容用于调整该晶体管的控制端与该晶体管的第二端之间的等效电容，以调整该晶体管的控制端与该晶体管的第一端之间的等效电容和该晶体管的控制端与该晶体管的第二端之间的等效电容之间的容值比例，从而改善该RF开关的电压振幅分配；该晶体管的第一端是用于传送接收RF信号，该晶体管的第二端是用来对应地接收传送RF信号。
百度查询： 立积电子股份有限公司 RF开关及RF开关系统
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